삼성전자가 세계 최초로 '3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램’을 개발했다고 21일 밝혔습니다. 초격차 기술을 현실화하며 경쟁사와의 기술 격차를 더욱 벌리고 있어 긍정적으로 평가됩니다.

반도체 경기 사이클을 감안한 D램 산업 침체기가 오더라도 삼성전자의 경우 기술력과 시장 장악력을 감안하면 충분히 돌파가 가능하다는 전망입니다. 그만큼 삼성전자의 메모리 기술력은 압도적인 우위에 있습니다.

삼성전자는 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한지 16개월만에 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램을 개발하며 또 다시 역대 최고 미세 공정 한계를 극복했습니다. 회로선폭을 더 줄이고 전력을 절감해 생산성을 높이는 한편 제품의 효율성도 크게 향상시킨 제품입니다.

3세대 10나노급(1z) D램은 초고가의 EUV 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성을 20% 이상 향상시켰고, 속도 증가로 전력효율 역시 개선됐습니다.

또한 삼성전자는 3세대 10나노급(1z) D램 기반 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료함으로써 글로벌 IT 고객의 수요를 본격 확대해 나갈 수 있게 됐습니다. PC를 생산하는 글로벌 컴퓨터 하드웨어 기업들의 대량 주문이 기대됩니다.

삼성전자는 2019년 하반기에 3세대 10나노급(1z) D램을 본격 양산하고, 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격적으로 공급하는 등 최첨단 공정 기반 프리미엄 메모리 기술 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획입니다.

또한 삼성전자는 글로벌 주요 고객들과 차세대 시스템 개발단계부터 적극 협력해 글로벌 시장을 차세대 라인업으로 빠르게 전환시켜 나갈 예정입니다.

계획은 현실성이 높아 보입니다. 메모리 부문에서 기술적으로도 가장 앞서고 생산량 면에서도 경쟁사의 추종을 불허하는 절대적인 우세를 보이고 있기 때문입니다. 삼성전자는 이미 컴퓨터 기억장치 시장을 이끌고 있는 리더입니다. 메모리 시장이 어느 정도 침체되어도 삼성전자의 경쟁력은 충분히 극복할 것으로 예견됩니다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 “미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 되었다”며 “향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나갈 것”이라고 말했습니다.

한편 삼성전자는 현재 글로벌 IT 고객의 공급 요구 수준에 맞춰 평택 최신 D램 라인에서 주력 제품의 생산 비중을 지속 확대하고 있습니다.

특히 2020년 차세대 프리미엄 D램의 수요 확대를 반영한 안정적 양산 체제를 평택에 구축함으로써 초격차 사업 경쟁력을 강화한다는 계획입니다.